優(yōu)秀的大電流MOS：CMSL025N12
優(yōu)秀的大電流MOS：CMSL025N12
CMSL025N12是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術(shù)和設(shè)計，提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），廣泛應用于負載開關(guān)、電池保護電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機驅(qū)動等。是一款高效、可靠的優(yōu)秀MOS管。
卓越的電氣特性
CMSL025N12的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMSL025N12的耐壓（BVDSS）為120V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）是240A。
雪崩能量：CMSL025N12采用先進的SGT技術(shù)，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為3610mJ。
低熱阻：CMSL025N12采用TOLL-8封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.31℃/W。
低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMSL025N12的導通電阻（RDS(on)）最大只有2.6mΩ。低導通電阻降低了導通狀態(tài)下的損耗，能提高整體電路的能效，在產(chǎn)品應用中更高效。
低開關(guān)損耗：低QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，和低開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMSL025N12 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應用電路，包括不限于負載開關(guān)、電池保護電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機驅(qū)動等。MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結(jié)電容，使管子有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗。
CMSL025N12優(yōu)秀的電氣特性，使其能夠在各種高應力環(huán)境下穩(wěn)定工作。通過優(yōu)化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMSL025N12中，使其在電路應用中表現(xiàn)出色。
