CMD8447B：優(yōu)秀控制器MOS
CMD8447B：優(yōu)秀控制器MOS
CMD8447B采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）與低門電荷，具有低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗，它可以高效用于多種應(yīng)用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動、LED控制器等。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性，是優(yōu)秀的控制器應(yīng)用元件。
卓越的電氣特性
CMD8447B的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMD8447B的耐壓（BVDSS）為40V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)50A。
可靠性好：CMD8447B采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，單次雪崩能量為100mJ，使其有較強(qiáng)的抗沖擊能力，提升了其耐用性和可靠性。
低熱阻：CMD8447B采用TO-252封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為2.8℃/W。有很好的散熱能力，工作時能夠有效地將熱量散發(fā)出去，防止過熱，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMD8447B的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）不超過15.5mΩ。低導(dǎo)通電阻能降低導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，能提高整體電路的能效。
低Qg：較低的Qg、和比較小的Ciss，使管子更容易驅(qū)動，開關(guān)損耗低，能提高電路效率。
適用范圍廣泛
CMD8447B由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用場景，特別是各類控制器電路中。MOS管的高EAS、低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接決定管子抗沖擊能力強(qiáng)、可靠性高、能效高；低QG、低結(jié)電容，使管子有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗。CMD8447B表現(xiàn)出色，能夠很好地滿足電路需求。
通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMD8447B中，使其在各類控制器等電路應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)秀。
