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CMP32N20P:電子鎮(zhèn)流器的性價(jià)比之選

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CMP32N20P:電子鎮(zhèn)流器的性價(jià)比之選

>>CMP32N20P詳情頁(yè)面

電子鎮(zhèn)流器(Electronic ballast),是鎮(zhèn)流器的一種,是指采用電子技術(shù)驅(qū)動(dòng)電光源,使之產(chǎn)生所需照明的電子設(shè)備?,F(xiàn)代日光燈越來越多的使用電子鎮(zhèn)流器,輕便小巧,甚至可以將電子鎮(zhèn)流器與燈管等集成在一起,同時(shí),電子鎮(zhèn)流器通??梢约婢邌⑤x器功能,故此又可省去單獨(dú)的啟輝器。電子鎮(zhèn)流器還可以具有更多功能,比如可以通過提高電流頻率或者電流波形(如變成方波)改善或消除日光燈的閃爍現(xiàn)象;也可通過電源逆變過程使得日光燈可以使用直流電源。

廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司(Cmos)推出的CMP32N20P具有超高性價(jià)比。被廣泛應(yīng)用于電子鎮(zhèn)流器、逆變器、伺服電機(jī)、LED燈等諸多領(lǐng)域,表現(xiàn)出卓越性能。下面就CMP32N20P系列MOSFET單個(gè)型號(hào)做簡(jiǎn)要介紹,以供廣大用戶參考。


封裝形式

CMP32N20P MOSFET系列推出四種不同封裝形式可供用戶選擇使用。具體如下:

CMP32N20P  TO-220      CMI32N20P   TO-262

CMB32N20P  TO-263      CMF32N20P  TO-220F



卓越的電氣特性

CMP32N20P電氣特性包括:



耐壓與電流能力:CMP32N20P是一款中壓MOSFET,其耐壓值(BVDSS)=200V,在TC=25℃條件下,最大連續(xù)漏極電流ID=32A。這使得CMP32N20P MOSFET在燈光控制、逆變電源等應(yīng)用環(huán)境中具有廣泛的應(yīng)用空間。


卓越的抗沖擊能力及技術(shù)建議

EAS是單次雪崩期間所能承受的能量, CMP32N20P以Tc ≦ 150℃為極限條件,EAS可達(dá)到1000MJ,這使得該型號(hào)具有很強(qiáng)的抗沖擊能力,尤其在以下情況下具有明顯優(yōu)勢(shì)。以下幾種情況是MOS管受雪崩沖擊最常見的應(yīng)用境況。

第一、在反激式網(wǎng)絡(luò)中應(yīng)用, MOSFET關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰;

第二、一些電源在輸出短路時(shí),初級(jí)線圈中會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)線圈電感的存在,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能;

第三、電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生極大的沖擊電流;


常見防止雪崩損壞的方法:

第一、在變壓器兩端并接 RCD 吸收回路,降低反向尖峰電壓;

第二、串聯(lián)柵極電阻,抑制dv/dt ;

第三、可在DS間并接 RC 吸收回路以吸收反向尖峰電壓;

第四、在電路設(shè)計(jì)時(shí)縮短器件之間距離,或者采用多層PCB板過孔連接,可降低寄生電感。



低開啟電壓:CMP32N20P MOSFET閾值電壓(VGS(th))不超過4V,使得驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,甚至使用78XX系列單片機(jī)就可以驅(qū)動(dòng)。簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)電路,將會(huì)使電源網(wǎng)絡(luò)集成性更高,電路相對(duì)簡(jiǎn)單,EMI干擾也會(huì)更小,使網(wǎng)絡(luò)環(huán)境整體協(xié)調(diào)性更高。



優(yōu)秀的熱管理性能:CMP32N20P系列MOSFET熱阻RθJC在0.78~2.51℃/W之間。低熱阻值使該料在大電流、高功率的應(yīng)用環(huán)境中非常合適。

理想的開關(guān)性能:影響MOSFET開關(guān)性能的主要參數(shù)是自身電容即Ciss、Coss和Crss,在MOS管電路應(yīng)用中選擇這三項(xiàng)參數(shù)較小的管子,會(huì)使電路整體性能更加穩(wěn)定。下圖是MOSFET結(jié)構(gòu)電容分布,其中:



Ciss:Ciss是MOS管的輸入電容Ciss=Cgs+Cgd,顯然該參數(shù)影響著MOS管的VGS,因?yàn)轵?qū)動(dòng)電路通電瞬間先給Ciss電容充電,當(dāng)電容越大充電時(shí)間越長(zhǎng),導(dǎo)致VGS開啟時(shí)間越長(zhǎng),較長(zhǎng)時(shí)間使MOS管工作在線性區(qū),MOS管在線性區(qū)時(shí)內(nèi)阻RDS值很大,將會(huì)產(chǎn)生以下問題;第一、導(dǎo)致管子發(fā)熱嚴(yán)重,可以通過熱量公式,Q=I*I*R*T(其中,I是流過MOS管漏源極的電流,R是MOS管狀態(tài)下的內(nèi)阻)進(jìn)行定性分析;第二、導(dǎo)致開關(guān)損耗越大,因?yàn)镸OS管是一個(gè)高頻率開關(guān)元器件,頻率高達(dá)1MHZ以上,每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗,器件的損耗是開通過程中的損耗Eon和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff),開關(guān)總損耗,Psw=(Eon+Eoff) ×開關(guān)頻率。

Coss:對(duì)于軟開關(guān)的應(yīng)用,Coss非常重要,因?yàn)樗赡芤痣娐返闹C振。

Crss:Crss=Cgd,對(duì)于高頻切換動(dòng)作最有不良影響。為了提高器件高頻特性,Cgd要愈低愈好。


以上是CMos CMP32N20P MOSFET系列產(chǎn)品之一,客戶在應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異性能。CMP32N20P系列MOSFET有四種不同封裝形式,可以滿足不同的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境使用。如需詳細(xì)了解該料參數(shù),請(qǐng)注冊(cè)和登錄廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng):m.etmyw.com